«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»

прочитаноне прочитано
Прочитано: 52%

Председатель Государственного Комитета


         О возрастании значения радиоэлектроники для народного хозяйства, особенно в связи с появлением полупроводниковых приборов, было заявлено на внеочередном XXI съезде КПСС (27.01.1959 - 05.02.1959) при утверждении контрольных цифр развития народного хозяйства на "семилетку" 1959-1965 годов. А.И. присутствовал на этом съезде с гостевым билетом. В выступлении первого заместителя Председателя Совета Министров СССР Ф.Р. Козлова, члена Президиума ЦК КПСС (орган, аналогичный Политбюро) было отмечено, что полупроводники позволяют "значительно сократить потребление электроэнергии, сэкономить дорогостоящие цветные металлы и материалы, уменьшить размер аппаратуры и её вес, повысить надёжность, срок службы и снизить эксплуатационные расходы". В принятом семилетнем плане было намечено значительно расширить действующие и построить новые предприятия полупроводниковой промышленности. Именно в 1959 году были основаны такие заводы полупроводниковых приборов, как Александровский, Брянский, Воронежский.
         Совет Министров СССР в развитие решений съезда выпустил постановление "О мерах по увеличению производства, расширению ассортимента и улучшению качества товаров культурно-бытового назначения и хозяйственного обихода". Принятое в октябре 1959 года, оно предусматривало среди прочего увеличение выпуска радиоприёмников, радиол, телевизоров и магнитофонов с применением печатных схем и полупроводников.
         Переход на полупроводниковую технику позволял во много раз увеличить вычислительные мощности и надёжность ЭВМ, открывал возможность их широкого внедрения в системы автоматизированного управления, чему был посвящён упоминавшийся Пленум ЦК КПСС в июне 1959 года.
         И всё же принимаемые меры оказывались недостаточными - мировой прогресс полупроводниковой техники шёл так быстро, что, несмотря на предпринимавшиеся ГКРЭ усилия, наметилось угрожающее отставание и по количеству, а главное и по качеству радиоэлектронной аппаратуры.
         Серьёзный шаг в развитии полупроводниковой электроники был сделан в США в 1954 году, когда фирма Texas Instrument Inc. объявила о выпуске первого транзистора, изготовленного из кремния. Переход на этот материал, имеющий температуру плавления 1420 град. С, позволял создавать транзисторы с гораздо более широким диапазоном рабочих температур, чем германий, что имело чрезвычайно важное значение для военных. Кроме того, по сравнению с приборами из германия, кремниевый транзистор мог обеспечивать гораздо большую мощность.
         Исключительно важную роль в развитии электроники в конце пятидесятых годов сыграла также разработка и последовавшее быстрое распространение так называемой планарной технологии и внедрение групповых методов их изготовления. Произошло резкое снижение себестоимости полупроводниковых приборов. Американцы быстро поняли, что сулит помещение денег в новую высокотехнологичную отрасль техники. В 1960 году разработкой и производством полупроводниковых приборов в США занималось уже более шестидесяти фирм, и число их росло как снежный ком.

«««Назад | Оглавление | Каталог библиотеки | Далее»»»



 
Яндекс цитирования Locations of visitors to this page Rambler's Top100